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              G-31B6型高精密雙面光刻機

              一、主要用途主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。二、設備…

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              G-31B6型高精密光刻機

              產品介紹:

              設備概述

              本設備廣泛用于各大、中、小型企業、大專院校、科研單位,它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

              主要構成

              本設備為板板對準雙面曝光

              主要由雙目視場CCD顯微顯示系統、二臺高均勻性超高壓汞燈曝光頭、PLC電控系統、高精度對準工作臺、Z軸升降機構、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺等組成。


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              曝光頭部件圖

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              CCD顯微系統|XYQ對準工作臺

              主要功能特點

              1.適用范圍廣
              適用于φ160mm以下厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光,雙面可同時曝光,亦可用于單面曝光。

              2.結構先進
              Z
              軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構,真空吸版,防粘片機構。

              3.操作簡便
              X\Y
              移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式;
              吸版、反吹采用按鈕方式,操作、調試、維護、修理都非常簡便。

               4. 可靠性高
              采用進口(日本產)電磁閥、按鈕、定時器;采用獨特的氣動系統、真空管路系統和

              精密的機械零件,使本機運行具有非常高的可靠性。
              5.
              特設功能
              除標準承片臺外,還可以為用戶定制專用承片臺,來解決非圓形基片、碎片和底面

              不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題

              主要技術指標

              1、工作臺行程(X向、Y/Z/θ向):±5mm/10mm/±5°;

              2、適用基片尺寸: 6英寸;

              3、掩模版尺寸:≤ 7″(175×175 mm);

              4、對準精度(正面對準/背面對準):±2um/±3um

              5、放大倍率:51×~570×(ccd連續)

              6、曝光光源:UV365500W超高壓汞燈;

              7、曝光面積:φ160mm

              8、曝光分辨率:2 um(膠厚≤1 um,正膠、真空接觸);

              9、光強 : 5mW/cm2

              10、曝光不均勻性:±5%

              11、曝光時間:0999.9s




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